一·真空晶體生長爐單晶爐石墨燒結爐設備用途 

　　主要用于LED行業(yè)的寶石類晶體制備，氟化物類晶體生長，燒結，退火等處理

二·真空晶體生長爐單晶爐石墨燒結爐產(chǎn)品特點

1·模塊化設計，結構緊湊，外形美觀，

2·采用底部電動升降和鐘罩式爐體升降，結構精巧，方便，移動平穩(wěn)裝卸料方便

3· 采用觸摸屏+plc控制方式，自動化程度高，操作直觀，功能強大。

4· 在觸摸屏內(nèi)可預存幾十種燒結工藝，一次編輯，以后直接調(diào)用使用，省去多次編輯工藝的麻煩，避免輸入錯誤，燒壞產(chǎn)品。

5· 燒結的溫度，真空度，等數(shù)據(jù)可實時記錄，也可隨時啟動停止記錄，減少無用數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)可查詢，可導出下載。

6· 燒結溫度高，用石墨發(fā)熱體，最高可達1600℃，

三·設備參數(shù)

1·設備總功率：≤15Kw；電源電壓：3相380V,50Hz

2·最高溫度：1650℃ 加熱功率 ≤8Kw 單相220V

3·額定溫度：室溫~1600℃

4. 工作區(qū)尺寸：Ф60×100mm（直徑×高，）

5·爐體內(nèi)徑Ф300Ф500mm（暫定）

6.測溫系統(tǒng)：                   鎢萊熱電偶

7.控溫精度：                   ±0.1℃

8.加熱區(qū)：                    Ф80×120mm

9.坩堝下降速度：              慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）

快速升降50-200mm/min（帶手動升降）

    位移行程 ≤150mm

10.中心軸有效行程/載重：      ≤300mm/20kg

11.爐內(nèi)充氣壓力：             ≤0.05MPa

四、結構說明

1、爐蓋：采用雙層水夾層結構，內(nèi)外壁為304不銹鋼，內(nèi)外壁與爐體上下法蘭組焊成整體結構，爐蓋設有鎖緊裝置。內(nèi)外壁都做精密拋光處理，爐蓋上留有充放氣閥，壓力表等標準接口。

2、爐體機構：同樣采用外壁為304不銹鋼材料雙層水夾層結構，內(nèi)、外壁作精密拋光處理，爐體與下法蘭組成筒型結構，法蘭平面開設密封槽。采用“O”形圈真空密封，并設水冷裝置（防止因溫度過高使“O”形圈老化。側部設計有加熱電極以及測溫裝置接口，還配置有標準KF真空接口。

3、爐底及升降裝料機構：爐底與爐體采用“O”圈真空密封，并設水冷裝置，真空系統(tǒng)及坩堝電動伺服絲桿升降，爐底與爐體的聯(lián)接均采用緊固壓緊密封。爐底法蘭整個安裝在一線性模組上，可整體升降，用于裝卸材料使用。爐底配置晶體生長用線性模組，由伺服電機帶動，用于坩堝升降，做晶體生長使用。升降桿與爐底采用焊接波紋管密封，防止行走過程真空的泄漏，保證密封的可靠性。

4、發(fā)熱元件及隔熱屏：加熱采用高純石墨作發(fā)熱體，純度高，無揮發(fā)，有效保證爐腔內(nèi)的清潔度。隔熱材料采用石墨成型纖維軟氈，保溫效果好，耐沖擊性好。整個隔熱屏采用金屬框架固定，便于安裝與維護。溫度控制采用一支鎢錸熱電偶全稱控溫測溫使用。同時，在隔熱屏外設置一支監(jiān)控熱電偶，監(jiān)控隔熱屏外溫度，提高設備的安全使用性能效率高耐沖擊性強發(fā)熱體與爐體電極聯(lián)接，水冷電極安裝在電爐側部，并設冷卻水通水冷卻。

5、真空系統(tǒng)：由TRP-16機械泵,和高真空氣動擋板組成，并配有真空壓力表、充氣閥、放氣閥。真空管道與泵聯(lián)接采用快速接頭聯(lián)接（減緩震動），真空測量選用具有數(shù)字顯示功能的復合真空計執(zhí)行。

6、溫控系統(tǒng)：控制加熱系統(tǒng)有可控硅調(diào)壓器+低壓高流大功率變壓器+測溫裝置，組成閉環(huán)控制系統(tǒng)，溫度儀表采用程序儀表帶PID自動調(diào)節(jié)功能，帶自整定自我調(diào)整能力。穩(wěn)定可靠，控制精度高。控制系統(tǒng)采用PLC+觸摸屏的方式，溫度、真空、位移數(shù)據(jù)可記錄可查詢，曲線可現(xiàn)實，數(shù)據(jù)可保存可導出，溫度程序數(shù)據(jù)可編譯可保存可調(diào)用。控制系統(tǒng)集中安放在爐架的一側箱體內(nèi)，整結大方，維修方便，所有器件均采用施耐德，西門子等，保證使用安全?？刂葡涔裆隙加邪踩举N，安裝接線標準化制作。

7、水冷分配系統(tǒng)：由主管道、分管路、水閥、壓力報警等相關裝置組成，具有斷水聲光報警及自動切斷電源等功能。

8、變壓器及聯(lián)接電纜：采用與之相匹配的變壓器及聯(lián)接電纜